EFFEKTKOMPONENTER Fortsat fra side 21 bekymre sig om kontrol over registerniveauer, så man kan koncentrere sig om funktioner- ne på højere niveau i slutappli- kationen. Disse drivere kaldes Common Microcontroller Soft- ware Interface Standard (CM- SIS) og er helt enkelt et hierarki af filer, der er nødvendige for at programmere MAX32625. I hjertet af disse mikrocontrol- lere er Arm-kernen, der er den samme for hver specifik familie af Arm-baserede mikrocontrol- lere. Det er et sæt af filer, der er nødvendige for konfigurering af Arm-kernen. Rundt om Arm-kernen er et pe- riferisæt (ADC’er, GPIO-porte, timere, countere, SPI-porte og lignende), som adskiller netop den ene Arm-kerne fra andre Arm-baserede komponenter. Denne periferi har brug for et sæt filer til konfigurering. Arm- kernen og periferien udgør den specifikke mikrocontrol- ler. Komponenten bliver der- efter placeret på et board og forbundet til for eksempel et display, port-headers, switche, LED’er og Bluetooth-transcei- vere. Der findes et sæt filer, der beskriver, hvordan kernen skal forbindes til de omgivende komponenter på print/board. Hvis vi starter i hjertet af MAX32625 (Arm-kernen) og arbejder os udefter, så er der et sæt filer, der konfigurerer selve Arm-kernen, og siden et sæt filer, der konfigurerer den pe- riferi, der omgiver Arm-kernen – og endelig et sæt til konfi- gurering af de komponenter i evaluerings-kittet rundt om processoren. Eclipse skal kon- figureres, så Eclipse kan finde disse filer under compilering af programmet. I Eclipse – i Project Explorer- vinduet, højreklik over projekt- navnet og vælg ”Properties”, og ekspandér så ”C/C++ Gene- ral menu” og navigér til ”Paths and Symbols”-sektionen. Un- der ”Includes”-tab’en vælg GNU C. Tilføj de directories, der er vist i figur 7 med brug af ”Add and File” systemtasterne. Klik så ”Apply and OK”, når det ovenstående er blevet tilføjet. Følgende adresser forklarer, hvad hver enkelt inkluderet di- rectory gør: • C\Maxim\Firmware\ MAX32625\Libraries\CMSIS\ Include. Denne directory inkluderer de filer, som Arm-kernen i MAX32625 bruger. • C:\Maxim\Firmware\ MAX32625\Libraries\CMSIS\ Device\Maxim\MAX32625\ Include. Denne inkluderer periferi-/registerdefinitioner for MAX32625. • C:\Maxim\Firmware\ MAX32625\Libraries\MAX- 32625PeriphDriver\Include. Denne directory inkluderer de filer, som gør det muligt at an- vende periferien i MAX32625. Man kan downloade software- filerne fra dette link eller fra QR-koden: h t t p s : // w w w. a n a l o g . c o m / media/en/software/software- configuration/eclipse-configu- ration.zip. Download QR kode: Del 2 af denne artikel vil være tilgængelig i Aktuel Elektronik 7/2025 (17. juni), og den forkla- rer, hvordan man kan konfigu- rere Eclipse til at arbejde sam- men med PICO. Produktnyt Udvidet USB-konnektorprogram med nye USB Type C-stiktyper Same Skys Interconnect Group lancerer nu udvidelsen af sit USB-konnektorproduktpro- gram med tilføjelsen af nye USB Type C-stikforbindelser. UP20-, UP31- og UP32-serierne er i overensstemmelse med USB 2.0-, USB 3.2 Gen 1- og/ eller USB 3.2 Gen 2-standar- derne med support af data- overførselshastigheder op til 10Gbps og distribueret effekt op til 150W ved 30V og 5A. De nye USB Type C-stik leveres i både horisontale og vertikale kapslinger og kan monteres på flere måder, inklusive lea- ded- (through hole), overflade- (SMT), kant- eller kabelmon- tage. Alle USB Type C-stiktyper kan reflow-loddes og har en høj grad af pålidelighed med op til 10.000 matings. Driftstempe- raturer spænder med -30°C og +125°C afhængigt af typen. For nyttige ressourcer og værk- tøjer om USB-konnektorer, se venligst Same Skys Resource Library, der rummer en række blog posts, videoer og meget mere. For flere oplysninger, se venligst: www.sameskydevices.com. Hvor GaN kan – skal GaN også bruges GaN (galliumnitrid) optræder i stadigt flere applikationer, og GaN er på mange måder en fremtrædende WBG-teknologi (Wide Band Gap) inden for de nyeste effektdesign som følge af de meget små tab i GaN-komponenterne. Hvornår skal man så vælge GaN frem for SiC (siliciumcarbid), silicium-MOSFETs eller IGBT’er? Tip til valg af WBG-teknologi fra Doug Bailey, vicedirektør for marketing, Power Integrations SiC, GaN silicium-junction MOS- FETs eller IGBT’er? Det er ét af de spørgsmål, som de seneste mange år er blevet diskuteret på PCIM-messen i Nürnberg. Hver teknologi har sin egen rolle på effektmarkedet, og det er derfor, at vi hos Power Integrations ikke ser GaN som et marked, men snarere som en teknologi. GaN er kun én slags ammunition i våben- kammeret i kampen mod tab i effektelektronikdesigns side om side med SiC og flere for- skellige MOSFET-teknologier. Hos Power Integrations væl- ger vi altid den teknologi, som vi finder bedst egnet til en gi- ven opgave – applikation for applikation. Opfattelsen af GaN’s position på markedet har ændret sig med vores mildest talt drama- tiske – og det er nok et accep- tabelt adjektiv at bruge – lan- cering af en GaN-komponent med en breakdown-spænding på 1700V. Set i et større per- spektiv er de 1700V hele 450V højere end vores foregående bedste komponent og rundt regnet 70 procent højere end det bedste, nogen af de andre GaN-producenter kan tilbyde (hvilket i øvrigt hel- Oversigt over brug af effektkomponenter afhængigt af anvendelse og nominel effekt. 1700V, så den let kan håndtere 1000VDC rail-spændingsap- plikationer. Den kan leveres med kun 16 ugers leadtime i volumenkvanta – og man kan få samples direkte fra hylden. Men hvad betyder det så for industrien og hele debatten om ”GaN vs. SiC – og hvilken effekt-IC teknologi er bedst”- diskussionen? Kort fortalt, så regner vi med, at GaN snart vil kunne opfylde behovet i begge applikationssektorer fra effekter ned til nogle-10W til hundredvis af kilowatt. Opdeling af markedet Lad os lige tage et breakdown af markedet: GaN har allerede overtaget laveffektmarkedet komponenterne kan gøres mindre trods den højere ef- fekt – og de termiske design- udfordringer bliver massivt reduceret. Selv om MOSFETs for tiden er billigere end sammenlignelige GaN HEMTs, så gør behovet for avancerede, resonante topolo- gier og køleplader MOSFET’er- ne til et mindre prisoptimalt alternativ til GaN på systemni- veau. Disse GaN-fordele vil kun blive mere udtalte, i takt med at economy-of-scale sætter ind med større produktions- volumener. Den eneste grund til, at MOSFETs vil blive valgt til laveffektapplikationer (for eksempel <20 W) er, at GaN- komponenter ved så lave ef- kompressorer, solcelleanlæg og en række automotive funk- tioner som on-board opladere (OBC) og erstatningskredsløb for blysyre-batteristyringer samt strømforsyninger til ser- vere i datacentre. Alle disse produkter er ved at overgå fra MOSFETs. Visse pro- dukter anvender i dag SiC-tek- nologien, og da SiC- og GaN har nogenlunde sammenlig- nelig effektivitet ved disse effektniveauer, hvorfor skulle GaN så være at foretrække hér? Prisen er det helt enkle svar. SiC kræver store mæng- der af effekt på grund af de høje temperaturkrav i frem- stillingsprocessen. Det gør GaN ikke. En GaN-komponent er reelt ikke meget dyrere at fremstille end en siliciumkom- ponent, og GaN kan fremstil- les på eksisterede halvleder- linjer med kun nogle relativt få modifikationer. Power Integrations er meget stærke inden for GaN-løsninger – blandt andet med deres InnoMux2 flyback- konverter til 1700V, der egner sig til en lang række mindre effektdesigns. ler ikke for nuværende sker i form af højvolumenprodukter til udskibning). De fleste GaN- virksomheder kæmper med at nå væsentligt over 750V. Vi lancerede hos Power Integra- tions en flyback-strømforsy- ning, InnoMux-2, til nominelle fra 30W til – lad os sige – 240W. Det skyldes, at GaN er langt mere effektivt end super-junc- tion MOSFETs med GaN’s eks- tremt lave switching-tab og meget lave specifikke R DS(on) . Derfor kan man realisere me- get høje effekttætheder, da fekter er så små, at de kan være svære at håndtere i montagen. Når vi bevæger os op igennem effektniveauerne til 500W, 1kW og op til 10kW, så står GaN også stærkest. Her ser vi på applikationer som hvide- varer, elcykel-opladere, HVAC- På vej mod de store invertere Stadigt flere af disse 1-10kW- applikationer, som tidligere var SiC- og MOSFET-teknologi- ernes enemærker, vil nu kunne realiseres med GaN, og festen stopper ikke her. På nuvæ- rende tidspunkt topper GaN ved effekter på 7-10kW. Det er noget mindre end behovet på markedet for elbil-opladere, som for tiden udgør det stør- ste enkeltstående marked (TAM) for effekt-IC ’er, men det gælder så kun, hvis man skal en faktor 10 op i forhold til dagens GaN-teknologier for at ramme elbiler med ladebehov på rundt regnet 100kW. Men inden for elektronikken er en faktor 10 kun et spørgsmål om nogle få år. Der er med andre ord ikke nogen substantiel constraint for brugen af GaN 22 nr. 6 | Maj 2025 WELLER ZEROSMOG INTELLIGENT UDSUGNING RING 76259090
Download PDF fil
Se arkivet med udgivelser af Aktuel Elektronik her
TechMedias mange andre fagblade kan læses her