MESSER/POWER Død over kølepladerne! Wide-bandgap (WBG)-teknologierne er for alvor på vej mod de kommercielle markeder. Det er primært GaN (galliumnitrid), der rykker og napper endnu et procentpoint fra effekttabet i applikationerne. Strømforsyningerne er endnu ikke helt med i front, men også dér øges effektiviteten Af Rolf Sylvester-Hvid, Electronica 2022, München Det er vel omkring 10-års tid siden, at de første virksomhe- der – som hedengangne Inter- national Rectifier – annonce- rede, at en teknologi som GaN ville kunne give fuldstændigt tabsfri effektkomponenter. Det var nu nok ikke hele sand- heden, men i takt med at wide-bandgap-teknologierne har sneget sig ind i branchens bevidsthed, er traditionelle effekthalvlederproducenter faldet fra og andre kommet til. Og de første kommercielle produkter inden for SiC (silici- Isabelle Velardé med en af de 8”-wafers, der er udgangspunkt for Innosciences fremstilling af højeffektive GaN-on-Si- komponenter. Virksomheden er den nok største med et kommercielt program af WBG-komponenter. www.aplica.dk Danmarks førende limhus LIM · DOSERING · AUTOMATION APLICA AUTOMATISERER MED ULTRALYDSSVEJSNING • Mulighed for sammenføjning af mindre og mere komplekse emner • Fuld sporbarhed af hver enkelt svejsning • Fuld sporbarhed af opsætning • Hurtigt og sikkert skift til andre emner Aplica Danmark ApS Betonvej 7 · 4000 Roskilde Tlf. 43 44 33 00 info@aplica.dk 4 nr. 12 | december 2022 - umcarbid) og navnligt GaN er nu til rådighed på markedet. Innoscience er én af de helt nye virksomheder, og den ki- nesiske producent har slået sig op på udelukkende at le- vere GaN-on-Si-komponenter. De hævder at være den største producent af teknologien på egen 8”-waferfab. For et års tid siden eller to – tiden flyver – gik Innoscience i luften med et program af generelle GaN- on-Si-transistorer, og under dette års Electronica kunne virksomheden optræde med en stor stand, hvorfra en stribe nye komponenter blev vist frem. Innoscience har i den forbindelse koncentreret sig om to produktområder til henholdsvis 30V-150V-om- rådet – typisk til strømforsy- nings- og automotive appli- kationer – og 650V-området, hvilket kunne dække behovet inden for blandt andet inver- tere til netforsynings- og mo- torstyringsformål. - Vi arbejder løbende på at gøre vores komponenter så Større behøver en 2xUSB-C- + USB-B-lader ikke at være: Doug Bailey viser Power Integrations’ design baseret på blandt andet Innoswitch4-Pro-switcheren, som bruger virksomhedens PowiGaN-teknologi og en effektiv ZVS-teknologi i såvel kontinuert som diskontinuert tilstand. kompakte som overhovedet muligt i forhold til ydelsen for derved at klemme mest muligt ud af GaN-on-Si-tek- nologien. Et godt eksempel er den nye stribe af effekt- transistorer til 100V-niveau- et. Det er tre nye modeller i solder bar-huse, nemlig IN- N100W070A med en RDS(on) på 7mΩ og 29A (max.) fra et footprint på 2,5mm x 1,5mm, INN100W032A (3,2mΩ, 60A, Fortsættes på side 6 Ét af de projekter, der er realiseret med brug af CGD’s ”intelligente” GaN-komponenter, er en 200W/400W (8-/4Ω)-forstærker, der forsynes fra en LLC-resonant forsyning på ±58VCD, og som giver op til 50A ud ved et signal-/støjforhold på 125dB – som CGD’s chef for forretningsudvikling Andrea Bricconi er meget stolt af.
Download PDF fil
Cookiepolitik
Se arkivet med udgivelser af Aktuel Elektronik her
TechMedias mange andre fagblade kan læses her